代表者が携わった技術分野

Ⅰ　開発

　・スプレーによる機能コーティング薄膜の形成
　・真空プロセスによる有機薄膜の形成

　・rf-MBE^（※1）によるHEMT^（※2）構造の作製

　・イオン注入

　・CVD^（※3）によるペロブスカイト膜の作製

　・氷蓄熱システム

　・レーザーイオン化TOF^（※4）質量分析

　・電解液中の電極の電気分解in-situ結晶評価

　・振動計測による配管の余寿命評価

　・XRDによる構造材の疲労余寿命評価

　・イオンビームの質量分析

　・加速器

　・X線の細束化

（※1）Radio-Frequency assisted
　　　Molecular Beam Epitaxy

（※2）High Electron Mobility Transistor

（※3）Chemical Vaper Deposition

（※4）Time of Flight

・表面分析：SEM^（※a）、AFM^（※b）、SEM-EDS^（※c）、
　　　　　　レーザー顕微鏡
・放射線測定：半導体検出器、ガイガーカウンター

・結晶解析：XRD^（※d）、TEM^（※e）

・欠陥評価：X線トポグラフ、SR^（※f）トポグラフ
・硬度測定：ビッカーズ試験、ナノインディケーター

・質量分析：レーザーイオン化TOF-MS^（※g）、
　　　　　　扇形磁場型、E×B型

・成分分析：GC-MS^（※h）

・疲労試験：両振り^（※i）、片振り、回転曲げ

・振動計測：加速度センサー、変位計

・皮膜評価：、碁盤目試験器、描画試験、鉛筆硬度試験

・その他：マイクロフォーカスX線、摩擦係数測定

（※a）Scanning electron microscope
　　　（走査型電子顕微鏡）

（※b）Atomic forced microscopy（原子間力顕微鏡）

（※c）Energy dispersive (x-ray) spectroscopy
　　　（エネルギー分散型Ｘ線分光）
（※d）X-ray diffraction（Ｘ線回折）

（※e）Transmission electron microscope
　　　（透過型電子顕微鏡）

（※f）Synchrotron Radiation
（※g）Time-of-flight Mass spectrometry

（※h）Gas Chromatography – Mass spectrometry

（※i）超音波疲労試験を含む。